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光量測基礎(chǔ)知識介紹（卓立漢光）一、簡介：光度測量（photometry）學(xué)是測量人眼對光的響應(yīng)的科學(xué)。由于人眼是一個高度復(fù)雜的器官，這無疑是一個非常困難的工作。它涉及到多個學(xué)科，心理學(xué)、生理學(xué)和物理學(xué)等。1924年，CIE（照明委員會）組織會議定義人眼對光平均響應(yīng)值，從此光度測量學(xué)就成為一門現(xiàn)代學(xué)科。該委員會抽樣測試了大量人群，將得到的數(shù)據(jù)繪制成明視（photopic）曲線。該曲線表明人眼對綠光反應(yīng)敏感，對紫光和紅光則反應(yīng)較弱。實驗表明，在暗視場情況下，人眼有*不同的響應(yīng)值，...

位移臺運動規(guī)格定義（卓立漢光）1.偏心：（Eccentricity）偏心有時也稱同心度，旋臺的偏心是指當旋臺旋轉(zhuǎn)時它的旋轉(zhuǎn)中心與平均位置的偏差。如果一個旋臺是同心的，那么在旋轉(zhuǎn)時就沒有偏心。2.位置穩(wěn)定性：（PositionStability）位置穩(wěn)定性是保持位置不隨時間改變的能力的量度。在穩(wěn)定位置的變化稱為漂移，影響因素有元件的疲勞、熱變化等。3.負載能力：（LoadCapacity）對于位移臺來說，負載能力是指所允許的作用于位移臺臺面中心且與運動方向和工作臺面垂直的合力的...

精密位移系統(tǒng)的技術(shù)指標介紹（卓立漢光）選購精密位移臺產(chǎn)品時要根據(jù)具體應(yīng)用考慮不同的性能指標，正確理解各項技術(shù)指標的物理意義，對終組建的系統(tǒng)的性能至關(guān)重要，因此本文就常用的一些技術(shù)指標做簡要介紹。

電移臺介紹電移臺全稱叫電控位移臺（卓立漢光），因其高精度、快速度、大承載、行程大、自動化而廣泛應(yīng)用于科研、激光應(yīng)用、全自動計量檢測儀器設(shè)備、工業(yè)自動化等領(lǐng)域；以及實現(xiàn)真空、污染、無菌、輻射等環(huán)境下的自動位移控制。一、電控位移系統(tǒng)基本由三部分組成：位移臺；驅(qū)動電機；控制器。1.位移臺則是系統(tǒng)的心臟，主要技術(shù)指標如位移精度，行程，負載，穩(wěn)定性，適用環(huán)境，外形尺寸均由其決定。2.驅(qū)動電機及控制器主要決定驅(qū)動扭矩，分辨率，加減速度，信號處理，使用功能（如掃描，圓弧插補）等性能參數(shù)。二...

光譜儀基礎(chǔ)知識介紹（卓立漢光）什么是光譜儀？光與物質(zhì)相互作用引起物質(zhì)內(nèi)部原子及分子能級間的電子躍遷，使物質(zhì)對光的吸收、發(fā)射、散射等在波長及強度信息上發(fā)生變化，而檢測并處理這類變化的儀器被稱為光譜儀。因此，光譜儀的基本功能，就是將復(fù)色光在空間上按照不同的波長分離/延展開來，配合各種光電儀器附件得到波長成分及各波長成分的強度等原始信息以供后續(xù)處理分析使用。光譜分析方法作為一種重要的分析手段，在科研、生產(chǎn)、質(zhì)控等方面，都發(fā)揮著大的作用。無論是穿透吸收光譜，還是熒光光譜，拉曼光譜，如...

光譜用光源介紹-卓立漢光公司----（轉(zhuǎn)載請注明出處）光源指能發(fā)出一定波長范圍的電磁波（包括可見光與紫外線、紅外線和X光線等不可見光）的物體。通常指能發(fā)出可見光的發(fā)光體。凡物體自身能發(fā)光者，稱做光源，又稱發(fā)光體，如太陽、恒星、燈以及燃燒著的物質(zhì)等都是。但像月亮表面、桌面等依靠它們反射外來光才能使人們看到它們，這樣的反射物體不能稱為光源。在我們的日常生活中離不開可見光的光源，可見光以及不可見光的光源還被廣泛地應(yīng)用到工農(nóng)業(yè)，醫(yī)學(xué)和國防現(xiàn)代化等方面。可見光光源常用于日常照明或顯示信...

光譜用光電探測器介紹(卓立漢光)光探測器按照工作原理和結(jié)構(gòu)，通常分為光電探測器和熱電探測器，其中光電探測器包括真空光電器件(光電倍增管等)和固體光電探測器(光電二管、光導(dǎo)探測器、CCD等)。一、光電倍增管(PHOTOMULTIPLIERTUBES，PMT)光電倍增管(PMT)是一種具有高靈敏度的光探測器件，同時還有快速響應(yīng)、低噪聲、大面積陰(光敏面)等特點。典型的光電倍增管，在其真空管中，包括光電發(fā)射陰(光陰)和聚焦電、電子倍增和電子收集(陽)的器件。當光照射光陰，光陰向真空...

光譜儀用CCD介紹（卓立漢光）CCD，是英文ChargeCoupledDevice即電荷耦合器件的縮寫，它是在MOS晶體管電荷存儲器的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，突出的特點是以電荷作為信號，而不是以電流或電壓作為信號的。在P型或N型硅單晶的襯底上生長一層厚度約為120~150nm的SiO2層，然后按一定次序沉積m行n列個金屬電或多晶硅電作為柵，柵間隙約2.5μm，于是每個電與其下方的SiO2和半導(dǎo)體間構(gòu)成了一個MOS結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)再加上輸入、輸出結(jié)構(gòu)就構(gòu)成了m×n位CCD（m＞1，n≥...